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干貨分享|為什么MOS管總是燒毀?(破解)

2019-07-12 11:25 來源:互聯網 編輯:Emma

工程師們在工作中會遇到各種問題,有的問題是誤操作導致的,有的我們真的不知道該怎么解決,我們談一談關于MOS管怎么會燒毀的問題?

mos在控制器電路中的工作狀態:開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態、關斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態。

Mos主要損耗也對應這幾個狀態,開關損耗(開通過程和關斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內,mos即會正常工作,超出承受范圍,即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗(不同mos這個差距可能很大。

Mos損壞主要原因:

過流----------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀;

過壓----------源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿;

靜電----------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電;

Mos開關原理(簡要

Mos是電壓驅動型器件,只要柵極和源級間給一個適當電壓,源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內阻,就是導通電阻<Rds(on)>。這個內阻大小基本決定了mos芯片能承受的最大導通電流(當然和其它因素有關,最有關的是熱阻)。內阻越小承受電流越大(因為發熱?。?。

Mos問題遠沒這么簡單,麻煩在它的柵極和源級間,源級和漏級間,柵極和漏級間內部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程(電容電壓不能突變),所以mos源級和漏級間由截止到導通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。

然而,這三個等效電容是構成串并聯組合關系,它們相互影響,并不是獨立的,如果獨立的就很簡單了。其中一個關鍵電容就是柵極和漏級間的電容Cgd,這個電容業界稱為米勒電容。這個電容不是恒定的,隨柵極和漏級間電壓變化而迅速變化。這個米勒電容是柵極和源級電容充電的絆腳石,因為柵極給柵-源電容Cgs充電達到一個平臺后,柵極的充電電流必須給米勒電容Cgd充電,這時柵極和源級間電壓不再升高,達到一個平臺,這個是米勒平臺(米勒平臺就是給Cgd充電的過程),米勒平臺大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。(即,柵極先給Cgs充電,到達一定平臺后再給Cgd充電)


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標簽: MOS管 米勒效應

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