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請教一下LLC管子有時候Vds并電容是什么目的?
閱讀: 1356 |  回復: 22 樓層直達

2019/07/10 08:01:11
1
jasuny1980
電源幣:1662 | 積分:5 主題帖:9 | 回復帖:45
LV3
排長

QQ截圖20160321155901 內容精選】管理員精心選擇的優質內容 快來討論吧


如題,見到很多大功率的LLC拓撲,MOSFET的DS兩端經常并聯幾個小電容,不明白此舉是什么目的,哪位大神給小弟說道說道?
標簽 開關電源
2019/07/10 09:29:13
2
米山人家
電源幣:217 | 積分:61 主題帖:9 | 回復帖:622
LV8
師長

IGBT存在結電容,大概是幾nF,這個電容會與電感形成諧振,諧振頻率超過1MHz,由于導線存在微弱的電感,對于足夠高的頻率,感抗也開始有所體現,致使諧振電壓峰值甚至比電源電壓高,能達到幾百V,這種高頻的動態電壓危害很大。

并聯小電容后,可以讓諧振不從IGBT內部走,從外部的小電容旁路。

IGBT內部電容有兩個通道,一是CE間電容,一是BC間電容。

上面相當于加電容后的效果,下面的圖相當于沒有并聯小電容的效果。

可以看出,外部并聯電容后,振蕩頻率和幅度會明顯減小。

這個圖是借另外一個網友的發貼(http://www.nttcow.live/bbs/2431524.html),很能說明問題,就轉到這里了,

2019/07/11 13:21:32
5
shao456
電源幣:783 | 積分:8 主題帖:1 | 回復帖:185
LV6
團長
人家問的是MOSFET,你卻說IGBT,人家問的是LLC,你貼的圖估計是移相全橋的(肯定不是LLC),這二者會一樣?
2019/07/11 15:23:30
6
米山人家
電源幣:217 | 積分:61 主題帖:9 | 回復帖:622
LV8
師長

一樣的,沒差別哦,IGBT和MOS,全橋諧振和LLC,面對這些問題的表現都是一樣的

而且,你結尾不應該用問號,應該用感嘆號才對啊

2019/07/11 16:25:32
7
shao456
電源幣:783 | 積分:8 主題帖:1 | 回復帖:185
LV6
團長
你根本沒說到點子上,并電容的目的你還沒領會
2019/07/11 17:52:18
8
米山人家
電源幣:217 | 積分:61 主題帖:9 | 回復帖:622
LV8
師長

面對問題,每個人都會有所領悟,千人千面,肯定不一定正確。

那么,你的見解是什么呢,能分享一下嗎?

2019/07/12 09:29:21
9
shao456
電源幣:783 | 積分:8 主題帖:1 | 回復帖:185
LV6
團長

你所陳述的內容本身沒有問題,我的意思是你的回答不切題,與樓主的疑問沒有關系。

關于MOS并聯電容的目的:以移相全橋為例,為了滿足死區時間內開關管的ZVS,要求死區時間>Tzvs/4,Tzvs=1/Fzvs=2π√(Lr*2Coss),大功率場合Lr選的比較小,導致Tzvs小,死區時間又不能太小,為了滿足ZVS不失效,需要給MOS外并電容來延長諧振時間(Tzvs)。

LLC與移相全橋類似(指死區時間內的諧振過程)。

2019/07/12 10:02:46
10
米山人家
電源幣:217 | 積分:61 主題帖:9 | 回復帖:622
LV8
師長
非常好,學習了,
2019/07/10 10:44:54
3
firefox886
電源幣:265 | 積分:5 主題帖:9 | 回復帖:663
LV9
軍長
樓上的童鞋,樓主的是LLC,那個電容的作用好像與你說的有差別!比如某種條件下,mos管的選擇受限制,如體二極管的反向恢復特性不好,那么就得加大死區,變壓器又做好了,為了實現zvs,就得并一只合適的電容,這個電容還可以改變mos關斷時的電流,總之有很多原因!應用時得看具體情況!不能一概而論!
2019/07/10 10:51:42
4
米山人家
電源幣:217 | 積分:61 主題帖:9 | 回復帖:622
LV8
師長

對的,小功率情況下,大諧振電感情況下,這個電容是不需要的。

大功率情況下,當諧振電感只有不到200uH時,這個電容是不可缺少的。

具體的情況很復雜,我只是表述了其中的很小一部分。

甚至,有時候,這個電容是起到反作用的。

2019/07/13 22:17:48
11
qinzutaim[版主]
電源幣:3745 | 積分:147 主題帖:38 | 回復帖:3817
LV11
統帥

諧振電感200uH?

這得多大的功率多低的頻率啊....

2019/07/13 22:22:16
12
qinzutaim[版主]
電源幣:3745 | 積分:147 主題帖:38 | 回復帖:3817
LV11
統帥
玩過(或者說是加過)幾次,目的1、EMI測試時加上能通過;2、改善電流波形。
2019/07/14 10:06:00
14
米山人家
電源幣:217 | 積分:61 主題帖:9 | 回復帖:622
LV8
師長

特別贊成這個能改善EMI的說法。

別的各種理論,都是推論或推測,改善EMI的最直觀有效的結果。

2019/07/14 11:11:26
15
shao456
電源幣:783 | 積分:8 主題帖:1 | 回復帖:185
LV6
團長

如果 諧振電感足夠大呢,還用并聯電容嗎?

2019/07/14 11:28:28
16
米山人家
電源幣:217 | 積分:61 主題帖:9 | 回復帖:622
LV8
師長

功率越大,電感量必須足夠小,不然諧振周期太大,會產生可聞噪音。

比如功率10KW時,電感量一般是不超過200uH的。

按照我自己的經驗,這個電容對電路穩定性有一點改善,但很小,對于EMI方面,沒有在意過。

2019/07/14 11:53:49
17
shao456
電源幣:783 | 積分:8 主題帖:1 | 回復帖:185
LV6
團長

問題的根本是什么?ZVS都沒有實現,何談EMI。

諧振電感為什么不能太大?只是諧振周期加長了這一種原因?那給MOS并聯電容不也是讓諧振周期變長了嗎。

諧振電感在小功率電源中也不會超過100uH(一般幾十uH)的,大功率時更不可能。

2019/07/14 19:42:30
18
米山人家
電源幣:217 | 積分:61 主題帖:9 | 回復帖:622
LV8
師長

回復一下吧,閑著也是閑著。

電流越大,電感必須相應減小,類似BUCK電路的電感選取規則,如果電感量過大,諧振能量(諧振電流和諧振電壓)會大幅度減小,不止是周期問題。

給MOS管并聯電容,不影響諧振周期,它不參與諧振。

如果做幾十KW功率,電感量一般不會超過100uH的,不然功率峰值會受到限制。

幾十瓦規格的小功率電源,電感量必須要大,需要幾百uH甚至mH級別。如果電感量過小,輸出能量會很高,很難控制在小功率狀態。

我說這些,你認為有哪里不正確嗎,歡迎指正。

2019/07/14 09:30:21
13
love-
電源幣:31 | 積分:7 主題帖:1 | 回復帖:17
LV2
班長
樓上說的都不對。正確答案是為了降低mos管漏源電壓上升率從而降低mos管的關斷損耗,其取值大小取決于Lm電流能不能在死區時間內抽干電容的儲能。
2019/07/15 08:36:32
19
lqh1972
電源幣:6 | 積分:5 主題帖:44 | 回復帖:41
LV5
營長
好帖,
2019/07/15 08:44:19
20
firefox886
電源幣:265 | 積分:5 主題帖:9 | 回復帖:663
LV9
軍長
你的意思是實現0電壓關斷???
2019/07/15 16:42:21
21
hong_t
電源幣:153 | 積分:1 主題帖:58 | 回復帖:119
LV6
團長

這個電容在MOS開通時相當于電容短路一樣,迅速通過MOS放電,這增加了MOS開通時的負擔(損耗)

2019/07/15 17:10:55
22
shao456
電源幣:783 | 積分:8 主題帖:1 | 回復帖:185
LV6
團長
零電壓開通是干什么的?還電容短路?
2019/07/16 09:23:29
23
hong_t
電源幣:153 | 積分:1 主題帖:58 | 回復帖:119
LV6
團長

問題是并不能全范圍ZVS

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